ثلاث براءات اختراع لسعودية في تقنية النانو
حصلت الدكتورة مها خياط من جامعة أم القرى على عدد من براءات الاختراع في مجال تقنية النانو والخلايا الشمسية، سجلت ثلاثاً منها من قبل شركة آي بي إم بالولايات المتحدة الأمريكية وتعتبر الشركة هي الشريك التقني لمدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية.
وأوضحت الدكتورة مها أن الاختراع الأول يتمثل في التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائياً، كما أوجدت طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، وذلك باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية.
حصلت الدكتورة مها خياط من جامعة أم القرى على عدد من براءات الاختراع في مجال تقنية النانو والخلايا الشمسية، سجلت ثلاثاً منها من قبل شركة آي بي إم بالولايات المتحدة الأمريكية وتعتبر الشركة هي الشريك التقني لمدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية.
وأوضحت الدكتورة مها أن الاختراع الأول يتمثل في التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائياً، كما أوجدت طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، وذلك باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية.
ثلاث براءات اختراع لسعودية في تقنية النانو 1432/11/04
حصلت الدكتورة مها خياط من جامعة أم القرى على عدد من براءات الاختراع في مجال تقنية النانو والخلايا الشمسية، سجلت ثلاثاً منها من قبل شركة آي بي إم بالولايات المتحدة الأمريكية وتعتبر الشركة هي الشريك التقني لمدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية.
وأوضحت الدكتورة مها أن الاختراع الأول يتمثل في التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائياً، كما أوجدت طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، وذلك باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية.
رد مع اقتباس
